DF80R12W2H3F_B11 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DF80R12W2H3F_B11  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DF80R12W2H3F_B11

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF80R12W2H3F_B11 даташит

 0.1. Size:914K  infineon
 df80r12w2h3f b11.pdf pdf_icon

DF80R12W2H3F_B11

 2.1. Size:652K  infineon
 df80r12w2h3f-b11.pdf pdf_icon

DF80R12W2H3F_B11

DF80R12W2H3F_B11 EasyPACK Modul mit schnellem Trench/Feldstopp High-Speed 3 IGBT und SiC Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with fast Trench/Fieldstop High-Speed 3 IGBT and SiC diode and PressFIT / NTC V = 1200V CES I = 80A / I = 160A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Solar Anwendungen Solar applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features

 3.1. Size:916K  infineon
 df80r12w2h3 b11.pdf pdf_icon

DF80R12W2H3F_B11

/ Technical Information IGBT- DF80R12W2H3_B11 IGBT-modules / Preliminary Data V = 1200V CES I = 80A / I = 160A C nom CRM Typical Applications Solar Applications UPS UPS Systems Electrical Features IGBT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DF300R07PE4_B6, DF300R12KE3, DF400R12KE3, DF600R12IP4D, DF650R17IE4, DF650R17IE4D_B2, DF75R12W1H4F_B11, DF80R12W2H3_B11, CRG60T60AK3HD, DF900R12IP4D, DF900R12IP4DV, DIM1000ECM33-TL, DIM1000ECM33-TS, DIM1000NSM33-TL, DIM1000NSM33-TS, DIM1000XSM33-TL001, DIM1000XSM33-TS001