DF900R12IP4D Todos los transistores

 

DF900R12IP4D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF900R12IP4D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 5100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 900 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 140 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 6400 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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DF900R12IP4D Datasheet (PDF)

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DF900R12IP4D

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF900R12IP4DIGBT-modulesPrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grerer Emitter Controlled 4 DiodePrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 900A / I = 1800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications

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DF900R12IP4D

Technische Information / Technical InformationIGBT-Module DF900R12IP4DV IGBT-modulesPrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grerer Emitter Controlled 4 DiodePrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 900A / I = 1800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications

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