Справочник IGBT. DF900R12IP4D

 

DF900R12IP4D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DF900R12IP4D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 6400 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DF900R12IP4D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF900R12IP4D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1765K  infineon
 df900r12ip4d.pdf pdf_icon

DF900R12IP4D

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF900R12IP4DIGBT-modulesPrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grerer Emitter Controlled 4 DiodePrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 900A / I = 1800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications

 0.1. Size:1763K  infineon
 df900r12ip4dv.pdf pdf_icon

DF900R12IP4D

Technische Information / Technical InformationIGBT-Module DF900R12IP4DV IGBT-modulesPrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grerer Emitter Controlled 4 DiodePrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 900A / I = 1800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.