DF900R12IP4D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DF900R12IP4D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DF900R12IP4D
DF900R12IP4D Datasheet (PDF)
df900r12ip4d.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF900R12IP4DIGBT-modulesPrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grerer Emitter Controlled 4 DiodePrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 900A / I = 1800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
df900r12ip4dv.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-Module DF900R12IP4DV IGBT-modulesPrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grerer Emitter Controlled 4 DiodePrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 900A / I = 1800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2