DF900R12IP4D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DF900R12IP4D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DF900R12IP4D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF900R12IP4D даташит

 ..1. Size:1765K  infineon
 df900r12ip4d.pdf pdf_icon

DF900R12IP4D

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF900R12IP4D IGBT-modules PrimePACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr erer Emitter Controlled 4 Diode PrimePACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 900A / I = 1800A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications

 0.1. Size:1763K  infineon
 df900r12ip4dv.pdf pdf_icon

DF900R12IP4D

Другие IGBT... DF300R12KE3, DF400R12KE3, DF600R12IP4D, DF650R17IE4, DF650R17IE4D_B2, DF75R12W1H4F_B11, DF80R12W2H3_B11, DF80R12W2H3F_B11, RJP30H1DPD, DF900R12IP4DV, DIM1000ECM33-TL, DIM1000ECM33-TS, DIM1000NSM33-TL, DIM1000NSM33-TS, DIM1000XSM33-TL001, DIM1000XSM33-TS001, DIM100PHM33-F