DIM1800ESS12-A Todos los transistores

 

DIM1800ESS12-A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DIM1800ESS12-A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 15625 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1800 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

DIM1800ESS12-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  dynex
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DIM1800ESS12-A

DIM1800ESS12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5857-1.1 DS5857-2 October 2010 (LN27614) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V Non Punch Through Silicon IC (max) 1800A Isolated Cu Base with Al2O3 Substrates IC(PK) (max) 3600A Lead Free construction * Measured at the power busbars, not the auxiliary

 5.1. Size:400K  dynex
 dim1800esm12-a.pdf pdf_icon

DIM1800ESS12-A

DIM1800ESM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5529-3 DS5529-4 October 2010 (LN27613) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1800A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 3600A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the a

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History: DF900R12IP4D | STGWT30V60F | T0360NB25A

 

 
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