DIM1800ESS12-A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DIM1800ESS12-A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15625 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1800 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DIM1800ESS12-A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DIM1800ESS12-A даташит

 ..1. Size:436K  dynex
 dim1800ess12-a.pdf pdf_icon

DIM1800ESS12-A

DIM1800ESS12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5857-1.1 DS5857-2 October 2010 (LN27614) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V Non Punch Through Silicon IC (max) 1800A Isolated Cu Base with Al2O3 Substrates IC(PK) (max) 3600A Lead Free construction * Measured at the power busbars, not the auxiliary

 5.1. Size:400K  dynex
 dim1800esm12-a.pdf pdf_icon

DIM1800ESS12-A

DIM1800ESM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5529-3 DS5529-4 October 2010 (LN27613) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1800A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 3600A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the a

Другие IGBT... DIM1500ASM33-TS001, DIM1500ESM33-TL, DIM1500ESM33-TS, DIM1600ECM17-A, DIM1600FSM12-A, DIM1600FSM17-A, DIM1600FSS12-A, DIM1800ESM12-A, FGH60N60SFD, DIM200PHM33-F, DIM200PKM33-F, DIM200PLM33-F, DIM2400ESM12-A, DIM2400ESM17-A, DIM2400ESS12-A, DIM250PHM33-TL, DIM250PHM33-TS