Справочник IGBT. DIM1800ESS12-A

 

DIM1800ESS12-A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DIM1800ESS12-A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1800 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DIM1800ESS12-A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DIM1800ESS12-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  dynex
 dim1800ess12-a.pdf pdf_icon

DIM1800ESS12-A

DIM1800ESS12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5857-1.1 DS5857-2 October 2010 (LN27614) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V Non Punch Through Silicon IC (max) 1800A Isolated Cu Base with Al2O3 Substrates IC(PK) (max) 3600A Lead Free construction * Measured at the power busbars, not the auxiliary

 5.1. Size:400K  dynex
 dim1800esm12-a.pdf pdf_icon

DIM1800ESS12-A

DIM1800ESM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5529-3 DS5529-4 October 2010 (LN27613) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1800A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 3600A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the a

Другие IGBT... DIM1500ASM33-TS001 , DIM1500ESM33-TL , DIM1500ESM33-TS , DIM1600ECM17-A , DIM1600FSM12-A , DIM1600FSM17-A , DIM1600FSS12-A , DIM1800ESM12-A , TGAN60N60F2DS , DIM200PHM33-F , DIM200PKM33-F , DIM200PLM33-F , DIM2400ESM12-A , DIM2400ESM17-A , DIM2400ESS12-A , DIM250PHM33-TL , DIM250PHM33-TS .

History: DIM1600FSM17-A | VS-GB50LP120N

 

 
Back to Top

 


 
.