Справочник IGBT. DIM1800ESS12-A

 

DIM1800ESS12-A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DIM1800ESS12-A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1800 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 20000 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DIM1800ESS12-A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DIM1800ESS12-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  dynex
 dim1800ess12-a.pdf pdf_icon

DIM1800ESS12-A

DIM1800ESS12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5857-1.1 DS5857-2 October 2010 (LN27614) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V Non Punch Through Silicon IC (max) 1800A Isolated Cu Base with Al2O3 Substrates IC(PK) (max) 3600A Lead Free construction * Measured at the power busbars, not the auxiliary

 5.1. Size:400K  dynex
 dim1800esm12-a.pdf pdf_icon

DIM1800ESS12-A

DIM1800ESM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5529-3 DS5529-4 October 2010 (LN27613) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1800A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 3600A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the a

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.