DIM2400ESM12-A Todos los transistores

 

DIM2400ESM12-A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DIM2400ESM12-A
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 20830 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 2400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 230 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 26000 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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DIM2400ESM12-A Datasheet (PDF)

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DIM2400ESM12-A

DIM2400ESM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5536-3.0 DS5536-4 October 2010 (LN27615) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 2400A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 4800A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the

 3.1. Size:463K  dynex
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DIM2400ESM12-A

DIM2400ESM17-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS54447-5 DS5447-6 June 2012 (LN29603) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 2400A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 4800A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the aux

 5.1. Size:435K  dynex
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DIM2400ESM12-A

DIM2400ESS12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5840-1.1 DS5840-2 October 2010 (LN27616) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V Non Punch Through Silicon IC (max) 2400A Isolated Cu Base with Al2O3 Substrates IC(PK) (max) 4800A Lead Free construction * Measured at the power busbars, not the auxiliary

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History: APTGT25DA120D1 | STGWA15S120DF3 | MG150Q2YS51 | SIGC04T60GSE

 

 
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