DIM2400ESM12-A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DIM2400ESM12-A
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20830 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 2400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 230 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 26000 nC
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
DIM2400ESM12-A Datasheet (PDF)
dim2400esm12-a.pdf

DIM2400ESM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5536-3.0 DS5536-4 October 2010 (LN27615) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 2400A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 4800A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the
dim2400esm17-a.pdf

DIM2400ESM17-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS54447-5 DS5447-6 June 2012 (LN29603) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 2400A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 4800A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the aux
dim2400ess12-a.pdf

DIM2400ESS12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5840-1.1 DS5840-2 October 2010 (LN27616) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V Non Punch Through Silicon IC (max) 2400A Isolated Cu Base with Al2O3 Substrates IC(PK) (max) 4800A Lead Free construction * Measured at the power busbars, not the auxiliary
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: IGP50N60T | DIM1600ECM17-A | IGP10N60T
History: IGP50N60T | DIM1600ECM17-A | IGP10N60T



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125