MBN400GR12A Todos los transistores

 

MBN400GR12A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MBN400GR12A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MBN400GR12A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  hitachi
 mbn400gr12a.pdf pdf_icon

MBN400GR12A

PDE-N400GR12A-0Hitachi IGBT Module / Silicon N-Channel IGBT MBN400GR12A [Rated 400A/1200V, Single-pack type] FEATURES OUTLINE DRAWING Low saturation voltage and high speed. Unit in mm Low turn-OFF switching loss. 10893 Low noise due to built-in free-wheeling diode. (Ultra Soft and Fast recovery Diode (USFD)) 2-M4 2-M6 High reliability structure.

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IXYX100N65B3D1 | IXYH40N65C3H1 | IKW40N65F5 | HGTD3N60A4S | JNG40T65HYU1 | CM300DU-12F | CT25ASJ-8

 

 
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