MBN400GR12A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MBN400GR12A
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 2500
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 400
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.2
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 10
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 200
Paquete / Cubierta: MODULE
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MBN400GR12A Datasheet (PDF)
mbn400gr12a.pdf
PDE-N400GR12A-0Hitachi IGBT Module / Silicon N-Channel IGBT MBN400GR12A [Rated 400A/1200V, Single-pack type] FEATURES OUTLINE DRAWING Low saturation voltage and high speed. Unit in mm Low turn-OFF switching loss. 10893 Low noise due to built-in free-wheeling diode. (Ultra Soft and Fast recovery Diode (USFD)) 2-M4 2-M6 High reliability structure.
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Liste
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