MBN400GR12A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MBN400GR12A
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2500 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 10 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MBN400GR12A - IGBT
MBN400GR12A Datasheet (PDF)
mbn400gr12a.pdf
PDE-N400GR12A-0Hitachi IGBT Module / Silicon N-Channel IGBT MBN400GR12A [Rated 400A/1200V, Single-pack type] FEATURES OUTLINE DRAWING Low saturation voltage and high speed. Unit in mm Low turn-OFF switching loss. 10893 Low noise due to built-in free-wheeling diode. (Ultra Soft and Fast recovery Diode (USFD)) 2-M4 2-M6 High reliability structure.
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Liste
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