Справочник IGBT. MBN400GR12A

 

MBN400GR12A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MBN400GR12A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 10 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MBN400GR12A

 

 

MBN400GR12A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  hitachi
 mbn400gr12a.pdf

MBN400GR12A MBN400GR12A

PDE-N400GR12A-0Hitachi IGBT Module / Silicon N-Channel IGBT MBN400GR12A [Rated 400A/1200V, Single-pack type] FEATURES OUTLINE DRAWING Low saturation voltage and high speed. Unit in mm Low turn-OFF switching loss. 10893 Low noise due to built-in free-wheeling diode. (Ultra Soft and Fast recovery Diode (USFD)) 2-M4 2-M6 High reliability structure.

Другие IGBT... DIM800ECM33-F , DIM800FSM12-A , DIM800FSM17-A , DIM800FSS12-A , DIM800NSM33-F , DIM800XSM33-F , DIM800XSM45-TS , DIM800XSM45-TS001 , FGW75N60HD , MBN600GR12A , MG06100S-BR1MM , MG06150S-BN4MM , MG06200S-BN4MM , MG06300D-BN4MM , MG06400D-BN1MM , MG06400D-BN4MM , MG06600WB-BN4MM .

 

 
Back to Top