MBN600GR12A Todos los transistores

 

MBN600GR12A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MBN600GR12A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3790 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MBN600GR12A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  hitachi
 mbn600gr12a.pdf pdf_icon

MBN600GR12A

PDE-N600GR12A-0Hitachi IGBT Module / Silicon N-Channel IGBT MBN600GR12A [Rated 600A/1200V, Single-pack type] FEATURES OUTLINE DRAWING Low saturation voltage and high speed. Unit in mm Low turn-OFF switching loss. 1104-6.593 Low noise due to built-in free-wheeling diode. (Ultra Soft and Fast recovery Diode (USFD)) 2-M8 High reliability structure.

Otros transistores... DIM800FSM12-A , DIM800FSM17-A , DIM800FSS12-A , DIM800NSM33-F , DIM800XSM33-F , DIM800XSM45-TS , DIM800XSM45-TS001 , MBN400GR12A , IRGP4063 , MG06100S-BR1MM , MG06150S-BN4MM , MG06200S-BN4MM , MG06300D-BN4MM , MG06400D-BN1MM , MG06400D-BN4MM , MG06600WB-BN4MM , MG100Q2YS40 .

History: SKM200GB123D | SGTN15C120HW | AOK40B65H2AL | CRG08T60A83L

 

 
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