MBN600GR12A Todos los transistores

 

MBN600GR12A IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MBN600GR12A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3790 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MBN600GR12A PDF specs

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MBN600GR12A

PDE-N600GR12A-0 Hitachi IGBT Module / Silicon N-Channel IGBT MBN600GR12A [Rated 600A/1200V, Single-pack type] FEATURES OUTLINE DRAWING Low saturation voltage and high speed. Unit in mm Low turn-OFF switching loss. 110 4- 6.5 93 Low noise due to built-in free-wheeling diode. (Ultra Soft and Fast recovery Diode (USFD)) 2-M8 High reliability structure. ... See More ⇒

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History: MG10Q6ES50A | BSM75GD120DLC | MG12300D-BN3MM | MG1225H-XN2MM | DIM500GCM33-TL | 1MBC10-060

 

 
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