Справочник IGBT. MBN600GR12A

 

MBN600GR12A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MBN600GR12A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3790 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 10 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MBN600GR12A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MBN600GR12A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  hitachi
 mbn600gr12a.pdf pdf_icon

MBN600GR12A

PDE-N600GR12A-0Hitachi IGBT Module / Silicon N-Channel IGBT MBN600GR12A [Rated 600A/1200V, Single-pack type] FEATURES OUTLINE DRAWING Low saturation voltage and high speed. Unit in mm Low turn-OFF switching loss. 1104-6.593 Low noise due to built-in free-wheeling diode. (Ultra Soft and Fast recovery Diode (USFD)) 2-M8 High reliability structure.

Другие IGBT... DIM800FSM12-A , DIM800FSM17-A , DIM800FSS12-A , DIM800NSM33-F , DIM800XSM33-F , DIM800XSM45-TS , DIM800XSM45-TS001 , MBN400GR12A , IRGP4063 , MG06100S-BR1MM , MG06150S-BN4MM , MG06200S-BN4MM , MG06300D-BN4MM , MG06400D-BN1MM , MG06400D-BN4MM , MG06600WB-BN4MM , MG100Q2YS40 .

History: IXDR30N120 | IXGH30N60B4 | IRGS4064D | IGC193T120T8RM | IXGT30N60B2 | SPM1003

 

 
Back to Top

 


 
.