MBN600GR12A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MBN600GR12A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3790 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MBN600GR12A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MBN600GR12A даташит

 ..1. Size:74K  hitachi
 mbn600gr12a.pdf pdf_icon

MBN600GR12A

PDE-N600GR12A-0 Hitachi IGBT Module / Silicon N-Channel IGBT MBN600GR12A [Rated 600A/1200V, Single-pack type] FEATURES OUTLINE DRAWING Low saturation voltage and high speed. Unit in mm Low turn-OFF switching loss. 110 4- 6.5 93 Low noise due to built-in free-wheeling diode. (Ultra Soft and Fast recovery Diode (USFD)) 2-M8 High reliability structure.

Другие IGBT... DIM800FSM12-A, DIM800FSM17-A, DIM800FSS12-A, DIM800NSM33-F, DIM800XSM33-F, DIM800XSM45-TS, DIM800XSM45-TS001, MBN400GR12A, IRG4PF50W, MG06100S-BR1MM, MG06150S-BN4MM, MG06200S-BN4MM, MG06300D-BN4MM, MG06400D-BN1MM, MG06400D-BN4MM, MG06600WB-BN4MM, MG100Q2YS40