MG06200S-BN4MM Todos los transistores

 

MG06200S-BN4MM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG06200S-BN4MM
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 2150 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MG06200S-BN4MM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1346K  littelfuse
 mg06200s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG06200S-BN4MM

Power Module600V 200A IGBT ModuleRoHSMG06200S-BN4MMFeatures High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching lossestemperature coefficient Fast switching and short tail currentApplicationsAgency Approvals High frequency Motion/se

Otros transistores... DIM800NSM33-F , DIM800XSM33-F , DIM800XSM45-TS , DIM800XSM45-TS001 , MBN400GR12A , MBN600GR12A , MG06100S-BR1MM , MG06150S-BN4MM , RJP6065DPM , MG06300D-BN4MM , MG06400D-BN1MM , MG06400D-BN4MM , MG06600WB-BN4MM , MG100Q2YS40 , MG100Q2YS50 , MG100Q2YS51 , MG100Q2YS65H .

History: MMIX4B22N300 | IXSM25N100 | IRGIB4630DPBF

 

 
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