MG06200S-BN4MM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG06200S-BN4MM
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 600
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 300
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.45
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 30
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 2150
Paquete / Cubierta: MODULE
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MG06200S-BN4MM Datasheet (PDF)
mg06200s-bn4mm.pdf
Power Module600V 200A IGBT ModuleRoHSMG06200S-BN4MMFeatures High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching lossestemperature coefficient Fast switching and short tail currentApplicationsAgency Approvals High frequency Motion/se
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Liste
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IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ