MG06200S-BN4MM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG06200S-BN4MM  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS

Encapsulados: MODULE

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MG06200S-BN4MM datasheet

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MG06200S-BN4MM

Power Module 600V 200A IGBT Module RoHS MG06200S-BN4MM Features High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching losses temperature coefficient Fast switching and short tail current Applications Agency Approvals High frequency Motion/se

Otros transistores... DIM800NSM33-F, DIM800XSM33-F, DIM800XSM45-TS, DIM800XSM45-TS001, MBN400GR12A, MBN600GR12A, MG06100S-BR1MM, MG06150S-BN4MM, KGF75N65KDF, MG06300D-BN4MM, MG06400D-BN1MM, MG06400D-BN4MM, MG06600WB-BN4MM, MG100Q2YS40, MG100Q2YS50, MG100Q2YS51, MG100Q2YS65H