MG06200S-BN4MM - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

MG06200S-BN4MM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: MG06200S-BN4MM
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG06200S-BN4MM

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG06200S-BN4MM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1346K  littelfuse
 mg06200s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG06200S-BN4MM

Power Module600V 200A IGBT ModuleRoHSMG06200S-BN4MMFeatures High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching lossestemperature coefficient Fast switching and short tail currentApplicationsAgency Approvals High frequency Motion/se

Другие IGBT... DIM800NSM33-F , DIM800XSM33-F , DIM800XSM45-TS , DIM800XSM45-TS001 , MBN400GR12A , MBN600GR12A , MG06100S-BR1MM , MG06150S-BN4MM , BT15T120ANF , MG06300D-BN4MM , MG06400D-BN1MM , MG06400D-BN4MM , MG06600WB-BN4MM , MG100Q2YS40 , MG100Q2YS50 , MG100Q2YS51 , MG100Q2YS65H .

History: IXSK80N60B | IRGP20B120U-E | IXSP15N120B | NCE80TD65BT

 

 
Back to Top

 


 
.