MG06200S-BN4MM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MG06200S-BN4MM  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MG06200S-BN4MM

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG06200S-BN4MM даташит

 ..1. Size:1346K  littelfuse
 mg06200s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG06200S-BN4MM

Power Module 600V 200A IGBT Module RoHS MG06200S-BN4MM Features High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching losses temperature coefficient Fast switching and short tail current Applications Agency Approvals High frequency Motion/se

Другие IGBT... DIM800NSM33-F, DIM800XSM33-F, DIM800XSM45-TS, DIM800XSM45-TS001, MBN400GR12A, MBN600GR12A, MG06100S-BR1MM, MG06150S-BN4MM, KGF75N65KDF, MG06300D-BN4MM, MG06400D-BN1MM, MG06400D-BN4MM, MG06600WB-BN4MM, MG100Q2YS40, MG100Q2YS50, MG100Q2YS51, MG100Q2YS65H