Справочник IGBT. MG06200S-BN4MM

 

MG06200S-BN4MM - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG06200S-BN4MM
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 2150 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG06200S-BN4MM

 

 

MG06200S-BN4MM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1346K  littelfuse
 mg06200s-bn4mm.pdf

MG06200S-BN4MM MG06200S-BN4MM

Power Module600V 200A IGBT ModuleRoHSMG06200S-BN4MMFeatures High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching lossestemperature coefficient Fast switching and short tail currentApplicationsAgency Approvals High frequency Motion/se

Другие IGBT... DIM800NSM33-F , DIM800XSM33-F , DIM800XSM45-TS , DIM800XSM45-TS001 , MBN400GR12A , MBN600GR12A , MG06100S-BR1MM , MG06150S-BN4MM , TGAN40N60FD , MG06300D-BN4MM , MG06400D-BN1MM , MG06400D-BN4MM , MG06600WB-BN4MM , MG100Q2YS40 , MG100Q2YS50 , MG100Q2YS51 , MG100Q2YS65H .

 

 
Back to Top