MG100Q2YS65H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG100Q2YS65H
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 690
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 3
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 50
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MG100Q2YS65H - IGBT
MG100Q2YS65H Datasheet (PDF)
mg100q2ys65h.pdf
MG100Q2YS65H TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT MG100Q2YS65H High Power & High Speed Switching Unit: mmApplications High input impedance Enhancement-mode The electrodes are isolated from case. Equivalent Circuit E1 E2 C1 E2JEDEC G1 E1/C2 G2 JEITA TOSHIBA 2-95A4A Weight: 255 g (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteri
Otros transistores... MG06200S-BN4MM , MG06300D-BN4MM , MG06400D-BN1MM , MG06400D-BN4MM , MG06600WB-BN4MM , MG100Q2YS40 , MG100Q2YS50 , MG100Q2YS51 , FGPF4536 , MG10Q6ES50A , MG12100D-BA1MM , MG12100S-BN2MM , MG12100W-XN2MM , MG12105S-BA1MM , MG12150D-BA1MM , MG12150S-BN2MM , MG12150W-XN2MM .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ