MG100Q2YS65H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MG100Q2YS65H
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 690 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MG100Q2YS65H Datasheet (PDF)
mg100q2ys65h.pdf
MG100Q2YS65H TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT MG100Q2YS65H High Power & High Speed Switching Unit: mmApplications High input impedance Enhancement-mode The electrodes are isolated from case. Equivalent Circuit E1 E2 C1 E2JEDEC G1 E1/C2 G2 JEITA TOSHIBA 2-95A4A Weight: 255 g (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteri
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: HGT1S7N60B3D | BUK866-400IZ | VS-20MT120UFAPBF | IQS2B57N120K4 | FGHL40S65UQ | IXBT16N170A
History: HGT1S7N60B3D | BUK866-400IZ | VS-20MT120UFAPBF | IQS2B57N120K4 | FGHL40S65UQ | IXBT16N170A
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a