MG100Q2YS65H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MG100Q2YS65H  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 690 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MG100Q2YS65H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG100Q2YS65H даташит

 ..1. Size:161K  toshiba
 mg100q2ys65h.pdf pdf_icon

MG100Q2YS65H

MG100Q2YS65H TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT MG100Q2YS65H High Power & High Speed Switching Unit mm Applications High input impedance Enhancement-mode The electrodes are isolated from case. Equivalent Circuit E1 E2 C1 E2 JEDEC G1 E1/C2 G2 JEITA TOSHIBA 2-95A4A Weight 255 g (typ.) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteri

 5.1. Size:114K  toshiba
 mg100q2ys40.pdf pdf_icon

MG100Q2YS65H

 5.2. Size:249K  toshiba
 mg100q2ys42.pdf pdf_icon

MG100Q2YS65H

 5.3. Size:137K  toshiba
 mg100q2ys51.pdf pdf_icon

MG100Q2YS65H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MG06200S-BN4MM, MG06300D-BN4MM, MG06400D-BN1MM, MG06400D-BN4MM, MG06600WB-BN4MM, MG100Q2YS40, MG100Q2YS50, MG100Q2YS51, GT30J127, MG10Q6ES50A, MG12100D-BA1MM, MG12100S-BN2MM, MG12100W-XN2MM, MG12105S-BA1MM, MG12150D-BA1MM, MG12150S-BN2MM, MG12150W-XN2MM