MG1750S-BN4MM Todos los transistores

 

MG1750S-BN4MM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG1750S-BN4MM
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 320 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 600 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MG1750S-BN4MM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1368K  littelfuse
 mg1750s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG1750S-BN4MM

Power Module1700V 50A IGBT ModuleRoHSMG1750S-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology)technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficientApplicationsAgency Approvals High frequency switching

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History: APTGF90SK60T

 

 
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