MG1750S-BN4MM Todos los transistores

 

MG1750S-BN4MM IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG1750S-BN4MM

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 320 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS

Encapsulados: MODULE

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MG1750S-BN4MM datasheet

 ..1. Size:1368K  littelfuse
 mg1750s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG1750S-BN4MM

Power Module 1700V 50A IGBT Module RoHS MG1750S-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications Agency Approvals High frequency switching

Otros transistores... MG17100D-BN4MM , MG17100S-BN4MM , MG17150D-BN4MM , MG17200D-BN4MM , MG17225WB-BN4MM , MG17300D-BN4MM , MG17300WB-BN4MM , MG17450WB-BN4MM , SGT60U65FD1PT , MG1775S-BN4MM , MG200J2YS50 , MG200J6ES60 , MG200J6ES61 , MG200Q1US41 , MG200Q1US51 , MG200Q2YS40 , MG200Q2YS50 .

History: FGH60T65SQD-F155

 

 

 

 

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