Справочник IGBT. MG1750S-BN4MM

 

MG1750S-BN4MM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG1750S-BN4MM
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG1750S-BN4MM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1368K  littelfuse
 mg1750s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG1750S-BN4MM

Power Module1700V 50A IGBT ModuleRoHSMG1750S-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology)technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficientApplicationsAgency Approvals High frequency switching

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: HGT1S7N60B3D | 6MBI100U2B-060 | CM50DY-24H | RCM10N40 | MMG40A120B7HN | 6MBI100VA-120-50

 

 
Back to Top

 


 
.