MG1750S-BN4MM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MG1750S-BN4MM

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG1750S-BN4MM

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG1750S-BN4MM даташит

 ..1. Size:1368K  littelfuse
 mg1750s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG1750S-BN4MM

Power Module 1700V 50A IGBT Module RoHS MG1750S-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications Agency Approvals High frequency switching

Другие IGBT... MG17100D-BN4MM, MG17100S-BN4MM, MG17150D-BN4MM, MG17200D-BN4MM, MG17225WB-BN4MM, MG17300D-BN4MM, MG17300WB-BN4MM, MG17450WB-BN4MM, SGT60U65FD1PT, MG1775S-BN4MM, MG200J2YS50, MG200J6ES60, MG200J6ES61, MG200Q1US41, MG200Q1US51, MG200Q2YS40, MG200Q2YS50