Справочник IGBT. MG1750S-BN4MM

 

MG1750S-BN4MM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG1750S-BN4MM
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG1750S-BN4MM

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG1750S-BN4MM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1368K  littelfuse
 mg1750s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG1750S-BN4MM

Power Module1700V 50A IGBT ModuleRoHSMG1750S-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology)technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficientApplicationsAgency Approvals High frequency switching

Другие IGBT... MG17100D-BN4MM , MG17100S-BN4MM , MG17150D-BN4MM , MG17200D-BN4MM , MG17225WB-BN4MM , MG17300D-BN4MM , MG17300WB-BN4MM , MG17450WB-BN4MM , IKW50N60H3 , MG1775S-BN4MM , MG200J2YS50 , MG200J6ES60 , MG200J6ES61 , MG200Q1US41 , MG200Q1US51 , MG200Q2YS40 , MG200Q2YS50 .

History: MMIX4B22N300 | IGC06R60D | BLG20T65FULA-P | RJH60D1DPP-M0

 

 
Back to Top

 


 
.