MG200J2YS50 Todos los transistores

 

MG200J2YS50 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG200J2YS50
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 900 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MG200J2YS50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  toshiba
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MG200J2YS50

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MG200J2YS50

MG200J6ES60 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG200J6ES60(600V/200A 6in1) High Power Switching Applications Motor Control Applications Integrates inverter power circuit in to a single package. The electrodes are isolated from case. Low thermal resistance VCE (sat) = 1.6 V (typ.) Equivalent Circuit PCN-1:7CN-1:6 CN-1:4 CN-1:2CN-1:8CN-1:5 CN-1:

 8.2. Size:221K  powerex
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MG200J2YS50

MG200J6ES61Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Six IGBTMOD Compact IGBT Series Module200 Amperes/600 VoltsAD LJ KMHUGN PDETAIL "A"C BF EU V WHTQ Q R SNPDescription:RPowerex Six IGBTMOD VPCompact IGBT Series Modules Ware designed for use in switching Xapplications. Each module

 9.1. Size:112K  toshiba
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MG200J2YS50

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History: APT40GP60B2DF2 | IXGH40N120A2 | GT5G102LB | IXXX160N65B4 | MMG300D060B6TC | NTE3310 | CM1200HC-66H

 

 
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