Справочник IGBT. MG200J2YS50

 

MG200J2YS50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG200J2YS50
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 900 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG200J2YS50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  toshiba
mg200j2ys50.pdfpdf_icon

MG200J2YS50

 8.1. Size:95K  toshiba
mg200j6es60.pdfpdf_icon

MG200J2YS50

MG200J6ES60 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG200J6ES60(600V/200A 6in1) High Power Switching Applications Motor Control Applications Integrates inverter power circuit in to a single package. The electrodes are isolated from case. Low thermal resistance VCE (sat) = 1.6 V (typ.) Equivalent Circuit PCN-1:7CN-1:6 CN-1:4 CN-1:2CN-1:8CN-1:5 CN-1:

 8.2. Size:221K  powerex
mg200j6es61.pdfpdf_icon

MG200J2YS50

MG200J6ES61Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Six IGBTMOD Compact IGBT Series Module200 Amperes/600 VoltsAD LJ KMHUGN PDETAIL "A"C BF EU V WHTQ Q R SNPDescription:RPowerex Six IGBTMOD VPCompact IGBT Series Modules Ware designed for use in switching Xapplications. Each module

 9.1. Size:112K  toshiba
mg200q2ys40.pdfpdf_icon

MG200J2YS50

Другие IGBT... MG17150D-BN4MM , MG17200D-BN4MM , MG17225WB-BN4MM , MG17300D-BN4MM , MG17300WB-BN4MM , MG17450WB-BN4MM , MG1750S-BN4MM , MG1775S-BN4MM , SGP30N60 , MG200J6ES60 , MG200J6ES61 , MG200Q1US41 , MG200Q1US51 , MG200Q2YS40 , MG200Q2YS50 , MG200Q2YS65H , MG25J6ES40 .

History: NGTB40N120FL2WG | IRG4PC30FPBF | 2MBI225VN-120-50 | IXYH20N65B3 | FF200R12KT3 | MMG300D170B

 

 
Back to Top

 


 
.