MG200J6ES61 Todos los transistores

 

MG200J6ES61 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG200J6ES61
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1000 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MG200J6ES61 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  powerex
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MG200J6ES61

MG200J6ES61Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Six IGBTMOD Compact IGBT Series Module200 Amperes/600 VoltsAD LJ KMHUGN PDETAIL "A"C BF EU V WHTQ Q R SNPDescription:RPowerex Six IGBTMOD VPCompact IGBT Series Modules Ware designed for use in switching Xapplications. Each module

 4.1. Size:95K  toshiba
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MG200J6ES61

MG200J6ES60 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG200J6ES60(600V/200A 6in1) High Power Switching Applications Motor Control Applications Integrates inverter power circuit in to a single package. The electrodes are isolated from case. Low thermal resistance VCE (sat) = 1.6 V (typ.) Equivalent Circuit PCN-1:7CN-1:6 CN-1:4 CN-1:2CN-1:8CN-1:5 CN-1:

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 9.1. Size:112K  toshiba
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MG200J6ES61

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History: 1MBI2400U4D-170 | TGAN20S150FD

 

 
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