MG200J6ES61 Todos los transistores

 

MG200J6ES61 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG200J6ES61

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1000 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

Encapsulados: MODULE

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MG200J6ES61 datasheet

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MG200J6ES61

MG200J6ES61 Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Six IGBTMOD Compact IGBT Series Module 200 Amperes/600 Volts A D L J K M H U G N P DETAIL "A" C B F E U V W H T Q Q R S N P Description R Powerex Six IGBTMOD V P Compact IGBT Series Modules W are designed for use in switching X applications. Each module

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MG200J6ES61

MG200J6ES60 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG200J6ES60(600V/200A 6in1) High Power Switching Applications Motor Control Applications Integrates inverter power circuit in to a single package. The electrodes are isolated from case. Low thermal resistance VCE (sat) = 1.6 V (typ.) Equivalent Circuit P CN-1 7 CN-1 6 CN-1 4 CN-1 2 CN-1 8 CN-1 5 CN-1

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MG200J6ES61

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MG200J6ES61

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