MG200J6ES61 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MG200J6ES61  📄📄 

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG200J6ES61

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

  📄📄 

MG200J6ES61 даташит

 ..1. Size:221K  powerex
mg200j6es61.pdfpdf_icon

MG200J6ES61

MG200J6ES61 Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Six IGBTMOD Compact IGBT Series Module 200 Amperes/600 Volts A D L J K M H U G N P DETAIL "A" C B F E U V W H T Q Q R S N P Description R Powerex Six IGBTMOD V P Compact IGBT Series Modules W are designed for use in switching X applications. Each module

 4.1. Size:95K  toshiba
mg200j6es60.pdfpdf_icon

MG200J6ES61

MG200J6ES60 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG200J6ES60(600V/200A 6in1) High Power Switching Applications Motor Control Applications Integrates inverter power circuit in to a single package. The electrodes are isolated from case. Low thermal resistance VCE (sat) = 1.6 V (typ.) Equivalent Circuit P CN-1 7 CN-1 6 CN-1 4 CN-1 2 CN-1 8 CN-1 5 CN-1

 8.1. Size:129K  toshiba
mg200j2ys50.pdfpdf_icon

MG200J6ES61

 9.1. Size:112K  toshiba
mg200q2ys40.pdfpdf_icon

MG200J6ES61

Другие IGBT... MG17225WB-BN4MM, MG17300D-BN4MM, MG17300WB-BN4MM, MG17450WB-BN4MM, MG1750S-BN4MM, MG1775S-BN4MM, MG200J2YS50, MG200J6ES60, IKW30N60H3, MG200Q1US41, MG200Q1US51, MG200Q2YS40, MG200Q2YS50, MG200Q2YS65H, MG25J6ES40, MG25N2YS1, MG25Q1BS11