MG200Q1US51 Todos los transistores

 

MG200Q1US51 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG200Q1US51

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1500 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Encapsulados: MODULE

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MG200Q1US51 datasheet

 ..1. Size:120K  toshiba
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MG200Q1US51

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MG200Q1US51

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MG200Q1US51

MMG200Q120B6HN 1200V 200A IGBT Module April 2015 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES High short circuit capability,self limiting short circuit current IGBT CHIP(T4 Fast Trench+Field Stop technology) VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Low switching lo

 7.2. Size:295K  macmic
mmg200q120b6tc.pdf pdf_icon

MG200Q1US51

MMG200Q120B6TC 1200V 200A IGBT Module September 2020 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES IGBT CHIP(Trench+Field Stop technology) VCE(sat) with positive temperature coefficient High short circuit capability Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Low switching losses APPLICATIONS High frequency s

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