MG200Q1US51 - аналоги и описание IGBT

 

MG200Q1US51 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MG200Q1US51

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG200Q1US51

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG200Q1US51 даташит

 ..1. Size:120K  toshiba
mg200q1us51.pdfpdf_icon

MG200Q1US51

 5.1. Size:253K  toshiba
mg200q1us41.pdfpdf_icon

MG200Q1US51

 7.1. Size:411K  macmic
mmg200q120b6hn.pdfpdf_icon

MG200Q1US51

MMG200Q120B6HN 1200V 200A IGBT Module April 2015 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES High short circuit capability,self limiting short circuit current IGBT CHIP(T4 Fast Trench+Field Stop technology) VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Low switching lo

 7.2. Size:295K  macmic
mmg200q120b6tc.pdfpdf_icon

MG200Q1US51

MMG200Q120B6TC 1200V 200A IGBT Module September 2020 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES IGBT CHIP(Trench+Field Stop technology) VCE(sat) with positive temperature coefficient High short circuit capability Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Low switching losses APPLICATIONS High frequency s

Другие IGBT... MG17300WB-BN4MM , MG17450WB-BN4MM , MG1750S-BN4MM , MG1775S-BN4MM , MG200J2YS50 , MG200J6ES60 , MG200J6ES61 , MG200Q1US41 , FGH75T65UPD , MG200Q2YS40 , MG200Q2YS50 , MG200Q2YS65H , MG25J6ES40 , MG25N2YS1 , MG25Q1BS11 , MG25Q2YS40 , MG25Q6ES42 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.