MG200Q2YS40 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG200Q2YS40 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1300 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS

Encapsulados: MODULE

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Búsqueda de reemplazo de MG200Q2YS40 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

MG200Q2YS40 datasheet

..1. Size:112K toshiba
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5.1. Size:156K toshiba
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MG200Q2YS65H TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT MG200Q2YS65H High Power & High Speed Switching Unit mm Applications High input impedance Enhancement-mode The electrodes are isolated from case. Equivalent Circuit E1 E2 C1 E2 JEDEC G1 E1/C2 G2 JEITA TOSHIBA 2-109C4A Weight 430 g (typ.) Maximum Ratings (Tc = = 25 C) = = Character

5.2. Size:337K toshiba
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