Справочник IGBT. MG200Q2YS40

 

MG200Q2YS40 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG200Q2YS40
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG200Q2YS40

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG200Q2YS40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  toshiba
mg200q2ys40.pdfpdf_icon

MG200Q2YS40

 5.1. Size:156K  toshiba
mg200q2ys65h.pdfpdf_icon

MG200Q2YS40

MG200Q2YS65H TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT MG200Q2YS65H High Power & High Speed Switching Unit: mmApplications High input impedance Enhancement-mode The electrodes are isolated from case. Equivalent Circuit E1 E2 C1 E2JEDEC G1 E1/C2 G2 JEITA TOSHIBA 2-109C4A Weight: 430 g (typ.) Maximum Ratings (Tc == 25C) ==Character

 5.2. Size:337K  toshiba
mg200q2ys50.pdfpdf_icon

MG200Q2YS40

 8.1. Size:120K  toshiba
mg200q1us51.pdfpdf_icon

MG200Q2YS40

Другие IGBT... MG17450WB-BN4MM , MG1750S-BN4MM , MG1775S-BN4MM , MG200J2YS50 , MG200J6ES60 , MG200J6ES61 , MG200Q1US41 , MG200Q1US51 , CRG75T60AK3HD , MG200Q2YS50 , MG200Q2YS65H , MG25J6ES40 , MG25N2YS1 , MG25Q1BS11 , MG25Q2YS40 , MG25Q6ES42 , MG25Q6ES50A .

History: MG17225WB-BN4MM | IXGT60N60 | APT27GA90BD15 | SIW30N65G21F | AOKS40B60D1 | AP30G40GEO-HF | IXXH50N60B3

 

 
Back to Top

 


 
.