MG200Q2YS40 - аналоги и описание IGBT

 

MG200Q2YS40 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MG200Q2YS40

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG200Q2YS40

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG200Q2YS40 даташит

 ..1. Size:112K  toshiba
mg200q2ys40.pdfpdf_icon

MG200Q2YS40

 5.1. Size:156K  toshiba
mg200q2ys65h.pdfpdf_icon

MG200Q2YS40

MG200Q2YS65H TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT MG200Q2YS65H High Power & High Speed Switching Unit mm Applications High input impedance Enhancement-mode The electrodes are isolated from case. Equivalent Circuit E1 E2 C1 E2 JEDEC G1 E1/C2 G2 JEITA TOSHIBA 2-109C4A Weight 430 g (typ.) Maximum Ratings (Tc = = 25 C) = = Character

 5.2. Size:337K  toshiba
mg200q2ys50.pdfpdf_icon

MG200Q2YS40

 8.1. Size:120K  toshiba
mg200q1us51.pdfpdf_icon

MG200Q2YS40

Другие IGBT... MG17450WB-BN4MM , MG1750S-BN4MM , MG1775S-BN4MM , MG200J2YS50 , MG200J6ES60 , MG200J6ES61 , MG200Q1US41 , MG200Q1US51 , GT30F133 , MG200Q2YS50 , MG200Q2YS65H , MG25J6ES40 , MG25N2YS1 , MG25Q1BS11 , MG25Q2YS40 , MG25Q6ES42 , MG25Q6ES50A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.