MG200Q2YS50 Todos los transistores

 

MG200Q2YS50 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG200Q2YS50
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1400 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MG200Q2YS50 Datasheet (PDF)

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MG200Q2YS50

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MG200Q2YS50

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MG200Q2YS50

MG200Q2YS65H TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT MG200Q2YS65H High Power & High Speed Switching Unit: mmApplications High input impedance Enhancement-mode The electrodes are isolated from case. Equivalent Circuit E1 E2 C1 E2JEDEC G1 E1/C2 G2 JEITA TOSHIBA 2-109C4A Weight: 430 g (typ.) Maximum Ratings (Tc == 25C) ==Character

 8.1. Size:120K  toshiba
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MG200Q2YS50

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History: DGW25N120CTL | NGTB03N60R2DT4G | IXGA4N100 | FGH40T70SHD

 

 
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