Справочник IGBT. MG200Q2YS50

 

MG200Q2YS50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG200Q2YS50
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG200Q2YS50

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG200Q2YS50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  toshiba
mg200q2ys50.pdfpdf_icon

MG200Q2YS50

 5.1. Size:112K  toshiba
mg200q2ys40.pdfpdf_icon

MG200Q2YS50

 5.2. Size:156K  toshiba
mg200q2ys65h.pdfpdf_icon

MG200Q2YS50

MG200Q2YS65H TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT MG200Q2YS65H High Power & High Speed Switching Unit: mmApplications High input impedance Enhancement-mode The electrodes are isolated from case. Equivalent Circuit E1 E2 C1 E2JEDEC G1 E1/C2 G2 JEITA TOSHIBA 2-109C4A Weight: 430 g (typ.) Maximum Ratings (Tc == 25C) ==Character

 8.1. Size:120K  toshiba
mg200q1us51.pdfpdf_icon

MG200Q2YS50

Другие IGBT... MG1750S-BN4MM , MG1775S-BN4MM , MG200J2YS50 , MG200J6ES60 , MG200J6ES61 , MG200Q1US41 , MG200Q1US51 , MG200Q2YS40 , RJH60F5DPQ-A0 , MG200Q2YS65H , MG25J6ES40 , MG25N2YS1 , MG25Q1BS11 , MG25Q2YS40 , MG25Q6ES42 , MG25Q6ES50A , MG25Q6ES51 .

History: SIW100N65G2P2D | FGHL50T65MQDT | MG50Q1BS11 | SKM100GB12V

 

 
Back to Top

 


 
.