Справочник IGBT. MG200Q2YS50

 

MG200Q2YS50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG200Q2YS50
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG200Q2YS50

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG200Q2YS50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  toshiba
mg200q2ys50.pdfpdf_icon

MG200Q2YS50

 5.1. Size:112K  toshiba
mg200q2ys40.pdfpdf_icon

MG200Q2YS50

 5.2. Size:156K  toshiba
mg200q2ys65h.pdfpdf_icon

MG200Q2YS50

MG200Q2YS65H TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT MG200Q2YS65H High Power & High Speed Switching Unit: mmApplications High input impedance Enhancement-mode The electrodes are isolated from case. Equivalent Circuit E1 E2 C1 E2JEDEC G1 E1/C2 G2 JEITA TOSHIBA 2-109C4A Weight: 430 g (typ.) Maximum Ratings (Tc == 25C) ==Character

 8.1. Size:120K  toshiba
mg200q1us51.pdfpdf_icon

MG200Q2YS50

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: CM200RX-12A | SPT10N120T1

 

 
Back to Top

 


 
.