Справочник IGBT. MG200Q2YS50

 

MG200Q2YS50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG200Q2YS50
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG200Q2YS50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  toshiba
mg200q2ys50.pdfpdf_icon

MG200Q2YS50

 5.1. Size:112K  toshiba
mg200q2ys40.pdfpdf_icon

MG200Q2YS50

 5.2. Size:156K  toshiba
mg200q2ys65h.pdfpdf_icon

MG200Q2YS50

MG200Q2YS65H TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT MG200Q2YS65H High Power & High Speed Switching Unit: mmApplications High input impedance Enhancement-mode The electrodes are isolated from case. Equivalent Circuit E1 E2 C1 E2JEDEC G1 E1/C2 G2 JEITA TOSHIBA 2-109C4A Weight: 430 g (typ.) Maximum Ratings (Tc == 25C) ==Character

 8.1. Size:120K  toshiba
mg200q1us51.pdfpdf_icon

MG200Q2YS50

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXBA14N300HV | APTGT100A120D1 | 2MBI150VA-120-50 | SKM145GAL174DN | XD040Q120AT1S3 | SKM50GAL12T4 | 2MBI150PC-140

 

 
Back to Top

 


 
.