MG300N1US1 Todos los transistores

 

MG300N1US1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG300N1US1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1400 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 1000 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MG300N1US1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  toshiba
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MG300N1US1

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MG300N1US1

 9.2. Size:83K  toshiba
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MG300N1US1

MG300Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG300Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3s (Max.) f Inductive load Low saturation voltage : V = 3.6V (Max.) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.

 9.3. Size:111K  toshiba
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MG300N1US1

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History: STGW10M65DF2 | MMG100S120UA6TC | IKQ100N60TA | FD1000R33HE3-K | 6MBP50VAA060-50 | NGTB40N120L

 

 
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