Справочник IGBT. MG300N1US1

 

MG300N1US1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG300N1US1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 1000 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG300N1US1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  toshiba
mg300n1us1.pdfpdf_icon

MG300N1US1

 9.1. Size:300K  toshiba
mg300j2ys50.pdfpdf_icon

MG300N1US1

 9.2. Size:83K  toshiba
mg300q2ys50.pdfpdf_icon

MG300N1US1

MG300Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG300Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3s (Max.) f Inductive load Low saturation voltage : V = 3.6V (Max.) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.

 9.3. Size:111K  toshiba
mg300q1us11.pdfpdf_icon

MG300N1US1

Другие IGBT... MG25N2YS1 , MG25Q1BS11 , MG25Q2YS40 , MG25Q6ES42 , MG25Q6ES50A , MG25Q6ES51 , MG300J2YS40 , MG300J2YS50 , IRGB20B60PD1 , MG300Q1US11 , MG300Q2YS40 , MG300Q2YS50 , MG50J1BS11 , MG50J2YS50 , MG50J6ES50 , MG50Q1BS11 , MG50Q2YS40 .

History: MMG400D120UA6TC | DAHF100G120SA | MMG75WD120XB6T4N

 

 
Back to Top

 


 
.