MG300N1US1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MG300N1US1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 1000 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG300N1US1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG300N1US1 даташит

 ..1. Size:179K  toshiba
mg300n1us1.pdfpdf_icon

MG300N1US1

 9.1. Size:300K  toshiba
mg300j2ys50.pdfpdf_icon

MG300N1US1

 9.2. Size:83K  toshiba
mg300q2ys50.pdfpdf_icon

MG300N1US1

MG300Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG300Q2YS50 High Power Switching Applications Unit mm Motor Control Applications High input impedance High speed t = 0.3 s (Max.) f Inductive load Low saturation voltage V = 3.6V (Max.) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.

 9.3. Size:111K  toshiba
mg300q1us11.pdfpdf_icon

MG300N1US1

Другие IGBT... MG25N2YS1, MG25Q1BS11, MG25Q2YS40, MG25Q6ES42, MG25Q6ES50A, MG25Q6ES51, MG300J2YS40, MG300J2YS50, GT30G122, MG300Q1US11, MG300Q2YS40, MG300Q2YS50, MG50J1BS11, MG50J2YS50, MG50J6ES50, MG50Q1BS11, MG50Q2YS40