MG300Q1US11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG300Q1US11
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2000 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
MG300Q1US11 Datasheet (PDF)
mg300q2ys50.pdf

MG300Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG300Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3s (Max.) f Inductive load Low saturation voltage : V = 3.6V (Max.) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.
mmg300q060b6n.pdf

MMG300Q060B6N 600V 300A IGBT Module JULY 2010 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES Ultra Low Loss High Ruggedness High Short Circuit Capability Positive Temperature Coefficient Integrated Gate Resistor APPLICATIONS Invertor Convertor Welder GQ Series Module SMPS and UPS Induction Heating ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC=25C unless otherw
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History: 2PG006 | CM2400HC-34H
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Liste
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