MG300Q1US11 Todos los transistores

 

MG300Q1US11 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG300Q1US11

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2000 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS

Encapsulados: MODULE

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MG300Q1US11 datasheet

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MG300Q1US11

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MG300Q1US11

MG300Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG300Q2YS50 High Power Switching Applications Unit mm Motor Control Applications High input impedance High speed t = 0.3 s (Max.) f Inductive load Low saturation voltage V = 3.6V (Max.) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.

 8.2. Size:143K  toshiba
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MG300Q1US11

 8.3. Size:880K  macmic
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MG300Q1US11

MMG300Q060B6N 600V 300A IGBT Module JULY 2010 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES Ultra Low Loss High Ruggedness High Short Circuit Capability Positive Temperature Coefficient Integrated Gate Resistor APPLICATIONS Invertor Convertor Welder GQ Series Module SMPS and UPS Induction Heating ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC=25 C unless otherw

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