MG300Q1US11 Todos los transistores

 

MG300Q1US11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG300Q1US11
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2000 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MG300Q1US11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  toshiba
mg300q1us11.pdf pdf_icon

MG300Q1US11

 8.1. Size:83K  toshiba
mg300q2ys50.pdf pdf_icon

MG300Q1US11

MG300Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG300Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3s (Max.) f Inductive load Low saturation voltage : V = 3.6V (Max.) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.

 8.2. Size:143K  toshiba
mg300q2ys40.pdf pdf_icon

MG300Q1US11

 8.3. Size:880K  macmic
mmg300q060b6n.pdf pdf_icon

MG300Q1US11

MMG300Q060B6N 600V 300A IGBT Module JULY 2010 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES Ultra Low Loss High Ruggedness High Short Circuit Capability Positive Temperature Coefficient Integrated Gate Resistor APPLICATIONS Invertor Convertor Welder GQ Series Module SMPS and UPS Induction Heating ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC=25C unless otherw

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