Справочник IGBT. MG300Q1US11

 

MG300Q1US11 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG300Q1US11
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2000 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG300Q1US11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  toshiba
mg300q1us11.pdfpdf_icon

MG300Q1US11

 8.1. Size:83K  toshiba
mg300q2ys50.pdfpdf_icon

MG300Q1US11

MG300Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG300Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3s (Max.) f Inductive load Low saturation voltage : V = 3.6V (Max.) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.

 8.2. Size:143K  toshiba
mg300q2ys40.pdfpdf_icon

MG300Q1US11

 8.3. Size:880K  macmic
mmg300q060b6n.pdfpdf_icon

MG300Q1US11

MMG300Q060B6N 600V 300A IGBT Module JULY 2010 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES Ultra Low Loss High Ruggedness High Short Circuit Capability Positive Temperature Coefficient Integrated Gate Resistor APPLICATIONS Invertor Convertor Welder GQ Series Module SMPS and UPS Induction Heating ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC=25C unless otherw

Другие IGBT... MG25Q1BS11 , MG25Q2YS40 , MG25Q6ES42 , MG25Q6ES50A , MG25Q6ES51 , MG300J2YS40 , MG300J2YS50 , MG300N1US1 , FGH75T65UPD , MG300Q2YS40 , MG300Q2YS50 , MG50J1BS11 , MG50J2YS50 , MG50J6ES50 , MG50Q1BS11 , MG50Q2YS40 , MG50Q2YS50 .

History: CM2400HC-34H | 2PG006

 

 
Back to Top

 


 
.