MG50J2YS50 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG50J2YS50
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Encapsulados: MODULE
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MG50J2YS50 datasheet
mmg50j120uz.pdf
MMG50J120UZ 1200V 50A IGBT Module April 2015 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES High Short Circuit Capability Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Ultra Low Loss,High Ruggedness Popular SOT-227 Package APPLICATIONS Invertor Convertor Welder SMPS and UPS Induction Heating IGBT
Otros transistores... MG25Q6ES51 , MG300J2YS40 , MG300J2YS50 , MG300N1US1 , MG300Q1US11 , MG300Q2YS40 , MG300Q2YS50 , MG50J1BS11 , FGL60N100BNTD , MG50J6ES50 , MG50Q1BS11 , MG50Q2YS40 , MG50Q2YS50 , MG50Q6ES40 , MG50Q6ES50A , MG600Q1US51 , MG75J1BS11 .
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