MG50J2YS50 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG50J2YS50
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
MG50J2YS50 Datasheet (PDF)
mmg50j120uz.pdf
MMG50J120UZ1200V 50A IGBT ModuleApril 2015 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES High Short Circuit Capability Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Ultra Low Loss,High Ruggedness Popular SOT-227 PackageAPPLICATIONS Invertor Convertor Welder SMPS and UPS Induction HeatingIGBT
Otros transistores... MG25Q6ES51 , MG300J2YS40 , MG300J2YS50 , MG300N1US1 , MG300Q1US11 , MG300Q2YS40 , MG300Q2YS50 , MG50J1BS11 , XNF15N60T , MG50J6ES50 , MG50Q1BS11 , MG50Q2YS40 , MG50Q2YS50 , MG50Q6ES40 , MG50Q6ES50A , MG600Q1US51 , MG75J1BS11 .
History: MMG400K120U6TN | MG17200D-BN4MM | AFGY100T65SPD | IXBF50N360 | APT30GT60BRD | IRG4BC20UDPBF | CM300DX-24S
History: MMG400K120U6TN | MG17200D-BN4MM | AFGY100T65SPD | IXBF50N360 | APT30GT60BRD | IRG4BC20UDPBF | CM300DX-24S
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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