Справочник IGBT. MG50J2YS50

 

MG50J2YS50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG50J2YS50
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG50J2YS50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  toshiba
 mg50j2ys50.pdf pdf_icon

MG50J2YS50

 9.1. Size:134K  toshiba
 mg50j6es50.pdf pdf_icon

MG50J2YS50

 9.2. Size:97K  toshiba
 mg50j1bs11.pdf pdf_icon

MG50J2YS50

 9.3. Size:445K  macmic
 mmg50j120uz.pdf pdf_icon

MG50J2YS50

MMG50J120UZ1200V 50A IGBT ModuleApril 2015 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES High Short Circuit Capability Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Ultra Low Loss,High Ruggedness Popular SOT-227 PackageAPPLICATIONS Invertor Convertor Welder SMPS and UPS Induction HeatingIGBT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MG25Q6ES51 , MG300J2YS40 , MG300J2YS50 , MG300N1US1 , MG300Q1US11 , MG300Q2YS40 , MG300Q2YS50 , MG50J1BS11 , XNF15N60T , MG50J6ES50 , MG50Q1BS11 , MG50Q2YS40 , MG50Q2YS50 , MG50Q6ES40 , MG50Q6ES50A , MG600Q1US51 , MG75J1BS11 .

 

 
Back to Top

 


 
.