MG50J2YS50 - аналоги и описание IGBT

 

MG50J2YS50 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MG50J2YS50

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG50J2YS50

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG50J2YS50 даташит

 ..1. Size:130K  toshiba
 mg50j2ys50.pdf pdf_icon

MG50J2YS50

 9.1. Size:134K  toshiba
 mg50j6es50.pdf pdf_icon

MG50J2YS50

 9.2. Size:97K  toshiba
 mg50j1bs11.pdf pdf_icon

MG50J2YS50

 9.3. Size:445K  macmic
 mmg50j120uz.pdf pdf_icon

MG50J2YS50

MMG50J120UZ 1200V 50A IGBT Module April 2015 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES High Short Circuit Capability Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Ultra Low Loss,High Ruggedness Popular SOT-227 Package APPLICATIONS Invertor Convertor Welder SMPS and UPS Induction Heating IGBT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MG25Q6ES51 , MG300J2YS40 , MG300J2YS50 , MG300N1US1 , MG300Q1US11 , MG300Q2YS40 , MG300Q2YS50 , MG50J1BS11 , FGL60N100BNTD , MG50J6ES50 , MG50Q1BS11 , MG50Q2YS40 , MG50Q2YS50 , MG50Q6ES40 , MG50Q6ES50A , MG600Q1US51 , MG75J1BS11 .

History: IGC142T120T8RL | APT50GF120LR | APT50GF60AR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.