MG50Q6ES40 Todos los transistores

 

MG50Q6ES40 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG50Q6ES40
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MG50Q6ES40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  toshiba
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MG50Q6ES40

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MG50Q6ES40

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MG50Q6ES40

MG50Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG50Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3s (Max) f @Inductive load Low saturation voltage : V = 3.6V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.

 9.2. Size:105K  toshiba
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MG50Q6ES40

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History: IRGIB4620DPBF | KGT15N120NDS | NGTB15N135IHRWG | MIAA20WE600TMH | JT075K120F2MA1E | IQGB400N60I4 | STGP19NC60WD

 

 
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