MG50Q6ES40 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MG50Q6ES40

Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG50Q6ES40

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG50Q6ES40 даташит

 ..1. Size:262K  toshiba
 mg50q6es40.pdf pdf_icon

MG50Q6ES40

 6.1. Size:115K  toshiba
 mg50q6es50a.pdf pdf_icon

MG50Q6ES40

 9.1. Size:89K  toshiba
 mg50q2ys50.pdf pdf_icon

MG50Q6ES40

MG50Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG50Q2YS50 High Power Switching Applications Unit mm Motor Control Applications High input impedance High speed t = 0.3 s (Max) f @Inductive load Low saturation voltage V = 3.6V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.

 9.2. Size:105K  toshiba
 mg50q1bs11.pdf pdf_icon

MG50Q6ES40

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MG300Q2YS40, MG300Q2YS50, MG50J1BS11, MG50J2YS50, MG50J6ES50, MG50Q1BS11, MG50Q2YS40, MG50Q2YS50, GT30F125, MG50Q6ES50A, MG600Q1US51, MG75J1BS11, MG75J1ZS40, MG75J1ZS50, MG75J2YS50, MG75J2YS91, MG75J6ES50