MG75J1BS11 Todos los transistores

 

MG75J1BS11 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG75J1BS11

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS

Encapsulados: MODULE

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MG75J1BS11 datasheet

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MG75J1BS11

MMG75J120UZ 1200V 75A IGBT Module April 2015 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES High Short Circuit Capability Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Ultra Low Loss,High Ruggedness Popular SOT-227 Package APPLICATIONS Invertor Convertor Welder SMPS and UPS Induction Heating IGBT

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