Справочник IGBT. MG75J1BS11

 

MG75J1BS11 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG75J1BS11
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG75J1BS11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  toshiba
mg75j1bs11.pdfpdf_icon

MG75J1BS11

This datasheet has been downloaded from:www.DatasheetCatalog.comDatasheets for electronic components.

 8.1. Size:300K  toshiba
mg75j1zs50.pdfpdf_icon

MG75J1BS11

 8.2. Size:253K  toshiba
mg75j1zs40.pdfpdf_icon

MG75J1BS11

This datasheet has been downloaded from:www.DatasheetCatalog.comDatasheets for electronic components.

 8.3. Size:445K  macmic
mmg75j120uz.pdfpdf_icon

MG75J1BS11

MMG75J120UZ1200V 75A IGBT ModuleApril 2015 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES High Short Circuit Capability Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Ultra Low Loss,High Ruggedness Popular SOT-227 PackageAPPLICATIONS Invertor Convertor Welder SMPS and UPS Induction HeatingIGBT

Другие IGBT... MG50J2YS50 , MG50J6ES50 , MG50Q1BS11 , MG50Q2YS40 , MG50Q2YS50 , MG50Q6ES40 , MG50Q6ES50A , MG600Q1US51 , IRG4PH50UD , MG75J1ZS40 , MG75J1ZS50 , MG75J2YS50 , MG75J2YS91 , MG75J6ES50 , MG75Q1BS11 , MG75Q2YS40 , MG75Q2YS42 .

 

 
Back to Top

 


 
.