MG75J6ES50 Todos los transistores

 

MG75J6ES50 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG75J6ES50

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 390 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS

Encapsulados: MODULE

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MG75J6ES50 datasheet

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MG75J6ES50

MG75J6ES50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75J6ES50 Unit mm High Power Switching Applications Motor Control Applications The electrodes are isolated from case. High input impedance. 6 IGBTs built into 1 package. Enhancement-mode. High speed t = 0.30 s (Max) (I = 75A) f C t = 0.15 s (Max) (I = 75A) rr F Low saturation voltage V = 2.70V

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MG75J6ES50

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