Справочник IGBT. MG75J6ES50

 

MG75J6ES50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG75J6ES50
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG75J6ES50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  toshiba
mg75j6es50.pdfpdf_icon

MG75J6ES50

MG75J6ES50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75J6ES50 Unit: mm High Power Switching Applications Motor Control Applications The electrodes are isolated from case. High input impedance. 6 IGBTs built into 1 package. Enhancement-mode. High speed : t = 0.30s (Max) (I = 75A) f C t = 0.15s (Max) (I = 75A) rr F Low saturation voltage : V = 2.70V

 9.1. Size:300K  toshiba
mg75j1zs50.pdfpdf_icon

MG75J6ES50

 9.2. Size:213K  toshiba
mg75j1bs11.pdfpdf_icon

MG75J6ES50

This datasheet has been downloaded from:www.DatasheetCatalog.comDatasheets for electronic components.

 9.3. Size:253K  toshiba
mg75j1zs40.pdfpdf_icon

MG75J6ES50

This datasheet has been downloaded from:www.DatasheetCatalog.comDatasheets for electronic components.

Другие IGBT... MG50Q6ES40 , MG50Q6ES50A , MG600Q1US51 , MG75J1BS11 , MG75J1ZS40 , MG75J1ZS50 , MG75J2YS50 , MG75J2YS91 , YGW60N65F1A2 , MG75Q1BS11 , MG75Q2YS40 , MG75Q2YS42 , MG75Q2YS50 , MG75Q2YS51 , MIEB100W1200DPFTEH , MIEB101W1200DPFEH , MIG10Q806H .

History: SPM1003 | APT15GT60KR | TT060U065FB | DM2G150SH12AE

 

 
Back to Top

 


 
.