Справочник IGBT. MG75J6ES50

 

MG75J6ES50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG75J6ES50
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG75J6ES50

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG75J6ES50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  toshiba
mg75j6es50.pdfpdf_icon

MG75J6ES50

MG75J6ES50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75J6ES50 Unit: mm High Power Switching Applications Motor Control Applications The electrodes are isolated from case. High input impedance. 6 IGBTs built into 1 package. Enhancement-mode. High speed : t = 0.30s (Max) (I = 75A) f C t = 0.15s (Max) (I = 75A) rr F Low saturation voltage : V = 2.70V

 9.1. Size:300K  toshiba
mg75j1zs50.pdfpdf_icon

MG75J6ES50

 9.2. Size:213K  toshiba
mg75j1bs11.pdfpdf_icon

MG75J6ES50

This datasheet has been downloaded from:www.DatasheetCatalog.comDatasheets for electronic components.

 9.3. Size:253K  toshiba
mg75j1zs40.pdfpdf_icon

MG75J6ES50

This datasheet has been downloaded from:www.DatasheetCatalog.comDatasheets for electronic components.

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: SKM75GD124D | IRGP4062D-EPBF | MMG200DR060UK | APTGT50X170BTP3 | 1MB05D-120

 

 
Back to Top

 


 
.