MG75J6ES50 - аналоги и описание IGBT

 

MG75J6ES50 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MG75J6ES50

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG75J6ES50

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG75J6ES50 даташит

 ..1. Size:512K  toshiba
mg75j6es50.pdfpdf_icon

MG75J6ES50

MG75J6ES50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75J6ES50 Unit mm High Power Switching Applications Motor Control Applications The electrodes are isolated from case. High input impedance. 6 IGBTs built into 1 package. Enhancement-mode. High speed t = 0.30 s (Max) (I = 75A) f C t = 0.15 s (Max) (I = 75A) rr F Low saturation voltage V = 2.70V

 9.1. Size:300K  toshiba
mg75j1zs50.pdfpdf_icon

MG75J6ES50

 9.2. Size:213K  toshiba
mg75j1bs11.pdfpdf_icon

MG75J6ES50

This datasheet has been downloaded from www.DatasheetCatalog.com Datasheets for electronic components.

 9.3. Size:253K  toshiba
mg75j1zs40.pdfpdf_icon

MG75J6ES50

This datasheet has been downloaded from www.DatasheetCatalog.com Datasheets for electronic components.

Другие IGBT... MG50Q6ES40 , MG50Q6ES50A , MG600Q1US51 , MG75J1BS11 , MG75J1ZS40 , MG75J1ZS50 , MG75J2YS50 , MG75J2YS91 , FGW75N60HD , MG75Q1BS11 , MG75Q2YS40 , MG75Q2YS42 , MG75Q2YS50 , MG75Q2YS51 , MIEB100W1200DPFTEH , MIEB101W1200DPFEH , MIG10Q806H .

History: FD1600-1200R17HP4-K-B2 | AFGHL50T65SQ | AUIRGP4062D-E | DDB2U30N08VR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.