MG75Q1BS11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG75Q1BS11
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MG75Q1BS11 IGBT
MG75Q1BS11 Datasheet (PDF)
mg75q2ys50.pdf
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History: T1200TB25A | SIW30N60G21B | KGF30N135NDH | 1MBH30D-060 | TA49047 | SKM150GB124D | MIXA50WB600TED
History: T1200TB25A | SIW30N60G21B | KGF30N135NDH | 1MBH30D-060 | TA49047 | SKM150GB124D | MIXA50WB600TED
Liste
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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