Справочник IGBT. MG75Q1BS11

 

MG75Q1BS11 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG75Q1BS11
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG75Q1BS11

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG75Q1BS11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  toshiba
 mg75q1bs11.pdf pdf_icon

MG75Q1BS11

 9.1. Size:262K  toshiba
 mg75q2ys50.pdf pdf_icon

MG75Q1BS11

MG75Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3 s (Max) f @Iinductive load Low saturation voltage : V = 3.6 V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package The electrodes are Isolated from ca

 9.2. Size:338K  toshiba
 mg75q2ys51.pdf pdf_icon

MG75Q1BS11

 9.3. Size:114K  toshiba
 mg75q2ys42.pdf pdf_icon

MG75Q1BS11

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MG50Q6ES50A , MG600Q1US51 , MG75J1BS11 , MG75J1ZS40 , MG75J1ZS50 , MG75J2YS50 , MG75J2YS91 , MG75J6ES50 , FGPF4533 , MG75Q2YS40 , MG75Q2YS42 , MG75Q2YS50 , MG75Q2YS51 , MIEB100W1200DPFTEH , MIEB101W1200DPFEH , MIG10Q806H , MIG10Q806HA .

History: APTGF90TA60P | MMG225WB120B6TN

 

 
Back to Top

 


 
.