MG75Q1BS11 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MG75Q1BS11

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG75Q1BS11

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG75Q1BS11 даташит

 ..1. Size:107K  toshiba
 mg75q1bs11.pdf pdf_icon

MG75Q1BS11

 9.1. Size:262K  toshiba
 mg75q2ys50.pdf pdf_icon

MG75Q1BS11

MG75Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75Q2YS50 High Power Switching Applications Unit mm Motor Control Applications High input impedance High speed t = 0.3 s (Max) f @Iinductive load Low saturation voltage V = 3.6 V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package The electrodes are Isolated from ca

 9.2. Size:338K  toshiba
 mg75q2ys51.pdf pdf_icon

MG75Q1BS11

 9.3. Size:114K  toshiba
 mg75q2ys42.pdf pdf_icon

MG75Q1BS11

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MG50Q6ES50A, MG600Q1US51, MG75J1BS11, MG75J1ZS40, MG75J1ZS50, MG75J2YS50, MG75J2YS91, MG75J6ES50, KGF75N65KDF, MG75Q2YS40, MG75Q2YS42, MG75Q2YS50, MG75Q2YS51, MIEB100W1200DPFTEH, MIEB101W1200DPFEH, MIG10Q806H, MIG10Q806HA