MG75Q1BS11 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

MG75Q1BS11 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: MG75Q1BS11
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для MG75Q1BS11

MG75Q1BS11 Datasheet (PDF)

..1. Size:107K toshiba
mg75q1bs11.pdf

9.1. Size:262K toshiba
mg75q2ys50.pdf

MG75Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3 s (Max) f @Iinductive load Low saturation voltage : V = 3.6 V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package The electrodes are Isolated from ca

9.2. Size:338K toshiba
mg75q2ys51.pdf