MG75Q2YS50 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG75Q2YS50
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Encapsulados: MODULE
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MG75Q2YS50 datasheet
mg75q2ys50.pdf
MG75Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75Q2YS50 High Power Switching Applications Unit mm Motor Control Applications High input impedance High speed t = 0.3 s (Max) f @Iinductive load Low saturation voltage V = 3.6 V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package The electrodes are Isolated from ca
Otros transistores... MG75J1ZS40 , MG75J1ZS50 , MG75J2YS50 , MG75J2YS91 , MG75J6ES50 , MG75Q1BS11 , MG75Q2YS40 , MG75Q2YS42 , IRGP4062D , MG75Q2YS51 , MIEB100W1200DPFTEH , MIEB101W1200DPFEH , MIG10Q806H , MIG10Q806HA , MIG50Q201H , MITA150H1700TEH , MIXA100PF1200TMH .
History: 6MBP30VAA060-50 | SKM75GB173D | SM2G100US60 | SKM75GD123D | MG50Q6ES40
History: 6MBP30VAA060-50 | SKM75GB173D | SM2G100US60 | SKM75GD123D | MG50Q6ES40
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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