MG75Q2YS50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MG75Q2YS50
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MG75Q2YS50 Datasheet (PDF)
mg75q2ys50.pdf
MG75Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3 s (Max) f @Iinductive load Low saturation voltage : V = 3.6 V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package The electrodes are Isolated from ca
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: 1MBH50-060 | CM150DU-12F | JNG20T60PS | IXYN100N65B3D1 | DM2G75SH6N | DM1GL75SH12A | NCE40ED75VT
History: 1MBH50-060 | CM150DU-12F | JNG20T60PS | IXYN100N65B3D1 | DM2G75SH6N | DM1GL75SH12A | NCE40ED75VT
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor