MG75Q2YS50 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

MG75Q2YS50 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: MG75Q2YS50
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 600
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 50
   Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для MG75Q2YS50

MG75Q2YS50 Datasheet (PDF)

..1. Size:262K toshiba
mg75q2ys50.pdf

MG75Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3 s (Max) f @Iinductive load Low saturation voltage : V = 3.6 V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package The electrodes are Isolated from ca

5.1. Size:338K toshiba
mg75q2ys51.pdf