MIEB101W1200DPFEH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIEB101W1200DPFEH
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 171 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 750 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MIEB101W1200DPFEH - IGBT
MIEB101W1200DPFEH Datasheet (PDF)
mieb101w1200dpfeh.pdf
MIEB 101W1200DPFEHSix-Pack VCES = 1200 VIC25 = 170 ASPT+ IGBTVCE(sat) typ. = 1.9 VPreliminary dataPart name (Marking on product)MIEB101W1200DPFEH13, 211 5 92 6 10191715E 728733 7 118 12414, 20Features: Application: Package: SPT+ IGBT technology AC motor control designed for wave soldering low saturation voltage AC servo and robot drive
mieb101w1200eh.pdf
MIEB 101W1200EHSix-Pack VCES = 1200 VIC25 = 183 ASPT+ IGBTVCE(sat) = 1.8 VPart name (Marking on product)MIEB101W1200EH13, 21D1 D2 D3T1 T2 T31 5 92 6 101917E7287315D4 D5 D6T4 T5 T63 7 118 12414, 20Features: Application: Package: SPT+ IGBT technology AC motor drives "E3-Pack" standard outline low saturation voltage Solar inverter
mieb101h1200eh.pdf
MIEB 101H1200EHIGBT Module VCES = 1200 VIC25 = 183 AH BridgeVCE(sat) = 1.8 VPart name (Marking on product)MIEB101H1200EH13, 21D1 D2T1T21 92 1019E7287315D3D4T3 T43 114 1214, 20Features: Application: Package: SPT+ IGBT technology AC motor drives "E3-Pack" standard outline low saturation voltage Solar inverter Insulated copper b
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Liste
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