MIEB101W1200DPFEH IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIEB101W1200DPFEH
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 171 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Encapsulados: MODULE
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MIEB101W1200DPFEH datasheet
mieb101w1200dpfeh.pdf
MIEB 101W1200DPFEH Six-Pack VCES = 1200 V IC25 = 170 A SPT+ IGBT VCE(sat) typ. = 1.9 V Preliminary data Part name (Marking on product) MIEB101W1200DPFEH 13, 21 1 5 9 2 6 10 19 17 15 E 72873 3 7 11 8 12 4 14, 20 Features Application Package SPT+ IGBT technology AC motor control designed for wave soldering low saturation voltage AC servo and robot drive
mieb101h1200eh.pdf
MIEB 101H1200EH IGBT Module VCES = 1200 V IC25 = 183 A H Bridge VCE(sat) = 1.8 V Part name (Marking on product) MIEB101H1200EH 13, 21 D1 D2 T1 T2 1 9 2 10 19 E72873 15 D3 D4 T3 T4 3 11 4 12 14, 20 Features Application Package SPT+ IGBT technology AC motor drives "E3-Pack" standard outline low saturation voltage Solar inverter Insulated copper b
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