MIEB101W1200DPFEH - аналоги и описание IGBT

 

MIEB101W1200DPFEH - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MIEB101W1200DPFEH

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 171 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MIEB101W1200DPFEH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MIEB101W1200DPFEH даташит

 0.1. Size:257K  ixys
 mieb101w1200dpfeh.pdf pdf_icon

MIEB101W1200DPFEH

MIEB 101W1200DPFEH Six-Pack VCES = 1200 V IC25 = 170 A SPT+ IGBT VCE(sat) typ. = 1.9 V Preliminary data Part name (Marking on product) MIEB101W1200DPFEH 13, 21 1 5 9 2 6 10 19 17 15 E 72873 3 7 11 8 12 4 14, 20 Features Application Package SPT+ IGBT technology AC motor control designed for wave soldering low saturation voltage AC servo and robot drive

 2.1. Size:454K  ixys
 mieb101w1200eh.pdf pdf_icon

MIEB101W1200DPFEH

 7.1. Size:399K  ixys
 mieb101h1200eh.pdf pdf_icon

MIEB101W1200DPFEH

MIEB 101H1200EH IGBT Module VCES = 1200 V IC25 = 183 A H Bridge VCE(sat) = 1.8 V Part name (Marking on product) MIEB101H1200EH 13, 21 D1 D2 T1 T2 1 9 2 10 19 E72873 15 D3 D4 T3 T4 3 11 4 12 14, 20 Features Application Package SPT+ IGBT technology AC motor drives "E3-Pack" standard outline low saturation voltage Solar inverter Insulated copper b

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MG75J2YS91 , MG75J6ES50 , MG75Q1BS11 , MG75Q2YS40 , MG75Q2YS42 , MG75Q2YS50 , MG75Q2YS51 , MIEB100W1200DPFTEH , CRG40T65AK5HD , MIG10Q806H , MIG10Q806HA , MIG50Q201H , MITA150H1700TEH , MIXA100PF1200TMH , MIXA100PM650TMI , MIXA150Q1200VA , MIXA150R1200VA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.