MIG50Q201H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIG50Q201H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 300
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 50
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.6
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Paquete / Cubierta: MODULE
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MIG50Q201H Datasheet (PDF)
mig50q201h.pdf
MIG50Q201H TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT MIG50Q201H High Power Switching Applications Motor Control Applications Integrates inverter, brake power circuits & control circuits (IGBT drive units, protection units for over-current, realtime-current-control (RTC), under-voltage & over-temperature) in one package. The electrodes are isolated from case.
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Liste
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