MIG50Q201H Todos los transistores

 

MIG50Q201H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MIG50Q201H
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MIG50Q201H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  toshiba
 mig50q201h.pdf pdf_icon

MIG50Q201H

MIG50Q201H TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT MIG50Q201H High Power Switching Applications Motor Control Applications Integrates inverter, brake power circuits & control circuits (IGBT drive units, protection units for over-current, realtime-current-control (RTC), under-voltage & over-temperature) in one package. The electrodes are isolated from case.

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXGP4N100 | SKM50GB12V | IXGT40N60C2 | IXXH100N60C3 | NCE20TD60BP | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P

 

 
Back to Top

 


 
.