MIG50Q201H - аналоги и описание IGBT

 

MIG50Q201H - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MIG50Q201H

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MIG50Q201H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MIG50Q201H даташит

 ..1. Size:127K  toshiba
 mig50q201h.pdf pdf_icon

MIG50Q201H

MIG50Q201H TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT MIG50Q201H High Power Switching Applications Motor Control Applications Integrates inverter, brake power circuits & control circuits (IGBT drive units, protection units for over-current, realtime-current-control (RTC), under-voltage & over-temperature) in one package. The electrodes are isolated from case.

Другие IGBT... MG75Q2YS40 , MG75Q2YS42 , MG75Q2YS50 , MG75Q2YS51 , MIEB100W1200DPFTEH , MIEB101W1200DPFEH , MIG10Q806H , MIG10Q806HA , RJP63K2DPP-M0 , MITA150H1700TEH , MIXA100PF1200TMH , MIXA100PM650TMI , MIXA150Q1200VA , MIXA150R1200VA , MIXA20WB1200TMI , MIXA225PF1200TSF , MIXA225RF1200TSF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.