Справочник IGBT. MIG50Q201H

 

MIG50Q201H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MIG50Q201H
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MIG50Q201H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  toshiba
 mig50q201h.pdf pdf_icon

MIG50Q201H

MIG50Q201H TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT MIG50Q201H High Power Switching Applications Motor Control Applications Integrates inverter, brake power circuits & control circuits (IGBT drive units, protection units for over-current, realtime-current-control (RTC), under-voltage & over-temperature) in one package. The electrodes are isolated from case.

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IRG4BC30FD-S | CM75DY-28H | IXGH48N60A3 | VS-GT400TH120N | MMG150HB060B6EN | GT50L101 | RGT8BM65D

 

 
Back to Top

 


 
.