Справочник IGBT. MIG50Q201H

 

MIG50Q201H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MIG50Q201H
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MIG50Q201H

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MIG50Q201H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  toshiba
 mig50q201h.pdf pdf_icon

MIG50Q201H

MIG50Q201H TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT MIG50Q201H High Power Switching Applications Motor Control Applications Integrates inverter, brake power circuits & control circuits (IGBT drive units, protection units for over-current, realtime-current-control (RTC), under-voltage & over-temperature) in one package. The electrodes are isolated from case.

Другие IGBT... MG75Q2YS40 , MG75Q2YS42 , MG75Q2YS50 , MG75Q2YS51 , MIEB100W1200DPFTEH , MIEB101W1200DPFEH , MIG10Q806H , MIG10Q806HA , RJP63K2DPP-M0 , MITA150H1700TEH , MIXA100PF1200TMH , MIXA100PM650TMI , MIXA150Q1200VA , MIXA150R1200VA , MIXA20WB1200TMI , MIXA225PF1200TSF , MIXA225RF1200TSF .

History: NGTB30N60IHLWG | CRGMF50T120FSC

 

 
Back to Top

 


 
.