MIXA50PM650TMI IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIXA50PM650TMI
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 188 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Encapsulados: MODULE
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MIXA50PM650TMI datasheet
mixa50pm650tmi.pdf
MIXA50PM650TMI tentative VCES = 2x 650 V XPT IGBT Module IC25 = 75 A VCE(sat) = 1,6 V Phase leg with Multi Level Part number MIXA50PM650TMI Backside isolated N Th1 E4 G4 E3 G3 E2 G2 E1 G1 Th2 U Features / Advantages Applications Package MiniPack2B High level of integration AC motro control Isolation Voltage V 3000 Rugged XPT design (Xtreme light Punch Thr
mixa50wb600ted.pdf
MIXA50WB600TED tentative 3 Brake 3 XPT IGBT Module Rectifier Chopper Inverter VRRM = 1600 V VCES = 600 V VCES = 650 V IDAV = 139 A IC25 = 29 A IC25 = 64 A IFSM = 550 A VCE(sat)= 2 V VCE(sat) = 1.6 V 6-Pack + 3 Rectifier Bridge & Brake Unit + NTC Part number MIXA50WB600TED Backside isolated 21 22 8 16 18 20 7 15 17 19 4 1 2 3 6 5 14 11 12 13 9 10 23 24 Features / Advant
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