Справочник IGBT. MIXA50PM650TMI

 

MIXA50PM650TMI Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MIXA50PM650TMI
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MIXA50PM650TMI

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MIXA50PM650TMI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2181K  ixys
 mixa50pm650tmi.pdf pdf_icon

MIXA50PM650TMI

MIXA50PM650TMItentativeVCES = 2x 650 VXPT IGBT ModuleIC25 = 75 AVCE(sat) = 1,6 VPhase leg with Multi LevelPart numberMIXA50PM650TMIBackside: isolatedNTh1E4 G4 E3 G3 E2 G2 E1 G1Th2UFeatures / Advantages: Applications: Package: MiniPack2B High level of integration AC motro control Isolation Voltage: V~3000 Rugged XPT design (Xtreme light Punch Thr

 8.1. Size:150K  ixys
 mixa50wb600ted.pdf pdf_icon

MIXA50PM650TMI

MIXA50WB600TEDtentative3~ Brake 3~XPT IGBT ModuleRectifier Chopper InverterVRRM = 1600 V VCES = 600 V VCES = 650 VIDAV = 139 A IC25 = 29 A IC25 = 64 AIFSM = 550 A VCE(sat)= 2 V VCE(sat) = 1.6 V6-Pack + 3~ Rectifier Bridge & Brake Unit + NTCPart numberMIXA50WB600TEDBackside: isolated21 22816 18 207 15 17 1941 2 3 6 514 11 12 1391023 24Features / Advant

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: BRG10N120D | IKW50N65F5A | F3L400R07PE4_B26 | SKM400GA123D | F3L300R12ME4_B22 | STGP30H60DF | MMG200DR060DE

 

 
Back to Top

 


 
.