Справочник IGBT. MIXA50PM650TMI

 

MIXA50PM650TMI - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MIXA50PM650TMI
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 70 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MIXA50PM650TMI

 

 

MIXA50PM650TMI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2181K  ixys
 mixa50pm650tmi.pdf

MIXA50PM650TMI MIXA50PM650TMI

MIXA50PM650TMItentativeVCES = 2x 650 VXPT IGBT ModuleIC25 = 75 AVCE(sat) = 1,6 VPhase leg with Multi LevelPart numberMIXA50PM650TMIBackside: isolatedNTh1E4 G4 E3 G3 E2 G2 E1 G1Th2UFeatures / Advantages: Applications: Package: MiniPack2B High level of integration AC motro control Isolation Voltage: V~3000 Rugged XPT design (Xtreme light Punch Thr

 8.1. Size:150K  ixys
 mixa50wb600ted.pdf

MIXA50PM650TMI MIXA50PM650TMI

MIXA50WB600TEDtentative3~ Brake 3~XPT IGBT ModuleRectifier Chopper InverterVRRM = 1600 V VCES = 600 V VCES = 650 VIDAV = 139 A IC25 = 29 A IC25 = 64 AIFSM = 550 A VCE(sat)= 2 V VCE(sat) = 1.6 V6-Pack + 3~ Rectifier Bridge & Brake Unit + NTCPart numberMIXA50WB600TEDBackside: isolated21 22816 18 207 15 17 1941 2 3 6 514 11 12 1391023 24Features / Advant

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top