MIXA50WB600TED Todos los transistores

 

MIXA50WB600TED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MIXA50WB600TED
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 29 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 65 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MIXA50WB600TED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  ixys
 mixa50wb600ted.pdf pdf_icon

MIXA50WB600TED

MIXA50WB600TEDtentative3~ Brake 3~XPT IGBT ModuleRectifier Chopper InverterVRRM = 1600 V VCES = 600 V VCES = 650 VIDAV = 139 A IC25 = 29 A IC25 = 64 AIFSM = 550 A VCE(sat)= 2 V VCE(sat) = 1.6 V6-Pack + 3~ Rectifier Bridge & Brake Unit + NTCPart numberMIXA50WB600TEDBackside: isolated21 22816 18 207 15 17 1941 2 3 6 514 11 12 1391023 24Features / Advant

 8.1. Size:2181K  ixys
 mixa50pm650tmi.pdf pdf_icon

MIXA50WB600TED

MIXA50PM650TMItentativeVCES = 2x 650 VXPT IGBT ModuleIC25 = 75 AVCE(sat) = 1,6 VPhase leg with Multi LevelPart numberMIXA50PM650TMIBackside: isolatedNTh1E4 G4 E3 G3 E2 G2 E1 G1Th2UFeatures / Advantages: Applications: Package: MiniPack2B High level of integration AC motro control Isolation Voltage: V~3000 Rugged XPT design (Xtreme light Punch Thr

Otros transistores... MIXA150R1200VA , MIXA20WB1200TMI , MIXA225PF1200TSF , MIXA225RF1200TSF , MIXA300PF1200TSF , MIXA30WB1200TMI , MIXA450PF1200TSF , MIXA50PM650TMI , RJP30E2DPP-M0 , MIXA600AF650TSF , MIXA600CF650TSF , MIXA600PF650TSF , MIXA60HU1200VA , MIXA60WH1200TEH , MIXA81WB1200TEH , MIXD200W650TEH , MIXD50W650TED .

History: SIW30N60G21B | KGF30N135NDH | 1MBH30D-060 | TA49047 | SKM150GB124D

 

 
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